řada: TPHMOSFET TPH8R80ANH N-kanálový 59 A 100 V, SOP Advanced, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-7790Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TPH8R80ANH
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

59 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOP Advanced

Řada

TPH

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

8,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

61 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Breite

5mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

0.95mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: TPHMOSFET TPH8R80ANH N-kanálový 59 A 100 V, SOP Advanced, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: TPHMOSFET TPH8R80ANH N-kanálový 59 A 100 V, SOP Advanced, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

59 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOP Advanced

Řada

TPH

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

8,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

61 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Breite

5mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

0.95mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more