Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
59 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOP Advanced
Řada
TPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
61 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
59 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOP Advanced
Řada
TPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
61 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku