Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,8 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,37
€ 0,368 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 7,37
€ 0,368 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,368 | € 7,37 |
100 - 180 | € 0,338 | € 6,76 |
200 - 980 | € 0,33 | € 6,59 |
1000 - 1980 | € 0,317 | € 6,34 |
2000+ | € 0,309 | € 6,18 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,8 nC při 10 V
Höhe
0.95mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku