Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.52mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
15.85mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.52mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
15.85mm
Krajina pôvodu
China