řada: TrenchFETMOSFET SiSS02DN-T1-GE3 N-kanálový 80 A 25 V, 1212, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 178-3698Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SiSS02DN-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

1212

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Maximální ztrátový výkon

65,7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +16 V

Breite

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

55 nC při 10 V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: TrenchFETMOSFET SiSS02DN-T1-GE3 N-kanálový 80 A 25 V, 1212, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

3000

Dostupné v násobkoch 1
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

řada: TrenchFETMOSFET SiSS02DN-T1-GE3 N-kanálový 80 A 25 V, 1212, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

3000

Dostupné v násobkoch 1
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

1212

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Maximální ztrátový výkon

65,7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +16 V

Breite

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

55 nC při 10 V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more