řada: TrenchFETMOSFET SiSS12DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 40 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
65.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
59 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 458,00
€ 0,486 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 458,00
€ 0,486 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
65.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
59 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products