Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAIR 3 x 3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
16.7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,5 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,38
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,38
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAIR 3 x 3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
16.7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,5 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V