P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3

Skladové číslo RS: 178-3950Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQD40031EL_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

186 nC při 10 V

Breite

2.38mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Höhe

6.22mm

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 12,54

€ 1,254 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Vyberte typ balenia

€ 12,54

€ 1,254 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,254€ 12,54
100 - 490€ 1,068€ 10,68
500 - 990€ 0,941€ 9,41
1000+€ 0,816€ 8,16

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

186 nC při 10 V

Breite

2.38mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Höhe

6.22mm

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more