MOSFET IRFBG20PBF N-kanálový 1.4 A 1000 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,57
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
€ 1,57
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 1,57 |
| 50 - 99 | € 1,49 |
| 100 - 249 | € 1,40 |
| 250+ | € 1,32 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products