Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,81
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,81
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,81 | € 90,50 |
100 - 200 | € 1,54 | € 77,00 |
250+ | € 1,45 | € 72,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku