MOSFET SI2325DS-T1-E3 P-kanálový 530 mA 150 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 710-3263Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI2325DS-T1-E3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

530 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

150 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

750 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,7 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,14

€ 1,028 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET SI2325DS-T1-E3 P-kanálový 530 mA 150 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 5,14

€ 1,028 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET SI2325DS-T1-E3 P-kanálový 530 mA 150 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

530 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

150 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

750 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,7 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more