DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

Tranzistor MOSFET SI2333CDS-T1-GE3 P-kanálový 5.1 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 710-3260Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI2333CDS-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

35 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

3.04mm

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V, 9 nC při 2,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Tranzistor MOSFET SI2333CDS-T1-GE3 P-kanálový 5.1 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3

P.O.A.

Tranzistor MOSFET SI2333CDS-T1-GE3 P-kanálový 5.1 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

35 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

3.04mm

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V, 9 nC při 2,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more