Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V, 9 nC při 2,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V, 9 nC při 2,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku