Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,12
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,12
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,12 | € 5,60 |
50 - 245 | € 1,05 | € 5,25 |
250 - 495 | € 0,95 | € 4,75 |
500 - 1245 | € 0,90 | € 4,50 |
1250+ | € 0,84 | € 4,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku