Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,212
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 0,212
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku