Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
C3M
Gehäusegröße
TO-247-4
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113,5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +19 V
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 15 V, 35 nC při 4 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
5.21mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.8V
Höhe
23.6mm
Podrobnosti o výrobku
Silicon Carbide Power MOSFET, řada C3M, Cree Inc.
Nová technologie MOSFET C3M Silicon Carbide (SiC)
Minimální napětí 1000 V Drain-Source Breakdown v celém rozsahu provozní teploty
Nová sada s nízkou impedancí se zdrojem ovladače
8 mm prosakování/vůle mezi výpustným otvorem a zdrojem
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou na výstupu
Vysoké blokovací napětí s nízkým stejnosměrným stavovým odporem
Lavinová robustnost
Rychlá vnitřní dioda s nízkou obnovou jízdy vzad
MOSFET Transistors, Cree Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 20,00
Each (bez DPH)
1
€ 20,00
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 24 | € 20,00 |
25 - 74 | € 18,26 |
75 - 149 | € 17,76 |
150+ | € 17,33 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
C3M
Gehäusegröße
TO-247-4
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113,5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +19 V
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 15 V, 35 nC při 4 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
5.21mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.8V
Höhe
23.6mm
Podrobnosti o výrobku
Silicon Carbide Power MOSFET, řada C3M, Cree Inc.
Nová technologie MOSFET C3M Silicon Carbide (SiC)
Minimální napětí 1000 V Drain-Source Breakdown v celém rozsahu provozní teploty
Nová sada s nízkou impedancí se zdrojem ovladače
8 mm prosakování/vůle mezi výpustným otvorem a zdrojem
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou na výstupu
Vysoké blokovací napětí s nízkým stejnosměrným stavovým odporem
Lavinová robustnost
Rychlá vnitřní dioda s nízkou obnovou jízdy vzad