řada: HEXFETMOSFET IRF4905LPBF P-kanálový 70 A 55 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 650-3662Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF4905LPBFDistrelec Article No.: 30341278
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

70 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

3.8 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

10.54mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,19

€ 1,638 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF4905LPBF P-kanálový 70 A 55 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 8,19

€ 1,638 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF4905LPBF P-kanálový 70 A 55 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 1,638€ 8,19
25 - 45€ 1,344€ 6,72
50 - 120€ 1,258€ 6,29
125 - 245€ 1,178€ 5,89
250+€ 1,08€ 5,40

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

70 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

3.8 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Breite

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

10.54mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more