Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDiodová konfigurace
Single
Jmenovité Zenerovo napětí
4.7V
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Gehäusegröße
DO-35
Typ Zenerovy diody
General Purpose
Tolerance Zenerova napětí
5%
Pinanzahl
2
Testovací proud
20mA
Maximální Zenerova impedance
19 Ω @ 20 mA, 1900 Ω @ 0.25 mA
Maximální závěrný svodový proud
5µA
Abmessungen
1.91 (Dia.) x 4.56mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Propustné napětí
1.2V
Propustný proud
200mA
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Typický teplotní koeficient napětí
±0.03%/°C
Krajina pôvodu
China
€ 24,48
€ 0,024 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
1000
€ 24,48
€ 0,024 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
---|---|---|
1000 - 2250 | € 0,024 | € 6,12 |
2500+ | € 0,021 | € 5,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDiodová konfigurace
Single
Jmenovité Zenerovo napětí
4.7V
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Gehäusegröße
DO-35
Typ Zenerovy diody
General Purpose
Tolerance Zenerova napětí
5%
Pinanzahl
2
Testovací proud
20mA
Maximální Zenerova impedance
19 Ω @ 20 mA, 1900 Ω @ 0.25 mA
Maximální závěrný svodový proud
5µA
Abmessungen
1.91 (Dia.) x 4.56mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Propustné napětí
1.2V
Propustný proud
200mA
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Typický teplotní koeficient napětí
±0.03%/°C
Krajina pôvodu
China