Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.65mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
78 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (On a Reel of 1600) (bez DPH)
1600
P.O.A.
Each (On a Reel of 1600) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1600
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.65mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
78 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China


