IGBT STGD19N40LZ N-kanálový 25 A 425 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 791-9330PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STGD19N40LZ
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

25 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

425 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±16V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

IGBT STGD19N40LZ N-kanálový 25 A 425 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

IGBT STGD19N40LZ N-kanálový 25 A 425 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

25 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

425 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±16V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more