MOSFET SI8489EDB-T2-E1 P-kanálový 4,3 A 20 V, MICRO FOOT, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
MICRO FOOT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.268mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 49,90
€ 0,25 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 49,90
€ 0,25 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,25 | € 4,99 |
| 1000 - 1980 | € 0,226 | € 4,52 |
| 2000 - 4980 | € 0,212 | € 4,25 |
| 5000+ | € 0,199 | € 3,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
MICRO FOOT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.268mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products