RF zesilovač HMC311SC70E MMIC 15 dB 8 GHz, SC-70, počet kolíků: 6
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
MMIC
Typický výkonový zisk
15 dB
Typický výkon
15.5dBm
Typický vzorec šumu
5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
8 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SC-70-5
Pinanzahl
6
Abmessungen
2.25 x 1.35 x 0.91mm
Höhe
0.91mm
Länge
2.25mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
1.35mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 11,01
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
1
€ 11,01
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 11,01 |
| 10 - 49 | € 9,40 |
| 50 - 99 | € 9,12 |
| 100 - 249 | € 7,81 |
| 250+ | € 7,12 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
MMIC
Typický výkonový zisk
15 dB
Typický výkon
15.5dBm
Typický vzorec šumu
5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
8 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SC-70-5
Pinanzahl
6
Abmessungen
2.25 x 1.35 x 0.91mm
Höhe
0.91mm
Länge
2.25mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
1.35mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).