RF zesilovač HMC327MS8GE výkonový 21 dB 4 GHz, MSOP, počet kolíků: 8
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Power
Typický výkonový zisk
21 dB
Typický výkon
27dBm
Typický vzorec šumu
5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
4 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
MiniSO10
Pinanzahl
8
Abmessungen
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Höhe
0.95mm
Länge
3.1mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
3.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Power
Typický výkonový zisk
21 dB
Typický výkon
27dBm
Typický vzorec šumu
5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
4 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
MiniSO10
Pinanzahl
8
Abmessungen
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Höhe
0.95mm
Länge
3.1mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
3.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).