Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Nízký šum
Typický výkon
2dBm
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
5.5 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMT
Pinanzahl
24
Abmessungen
4.1 x 4.1 x 1mm
Höhe
1mm
Länge
4.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
3 V
Breite
4.1mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Nízký šum
Typický výkon
2dBm
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
5.5 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMT
Pinanzahl
24
Abmessungen
4.1 x 4.1 x 1mm
Höhe
1mm
Länge
4.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
3 V
Breite
4.1mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).