Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Power
Typický výkonový zisk
17 dB
Typický výkon
20dBm
Typický vzorec šumu
4.5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
18 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMT
Pinanzahl
12
Abmessungen
3 x 3 x 0.92mm
Höhe
0.92mm
Länge
3mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
3mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Power
Typický výkonový zisk
17 dB
Typický výkon
20dBm
Typický vzorec šumu
4.5dB
Počet kanálů na čip
1
Maximální provozní frekvence
18 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SMT
Pinanzahl
12
Abmessungen
3 x 3 x 0.92mm
Höhe
0.92mm
Länge
3mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5 V
Breite
3mm
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).