Modul RF zesilovače HMC561LP3E Nízkošumový zesilovač, počet kanálů: 2 10,5 GHz, QFN, počet kolíků: 16
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Nízký šum
Typický výkon
14dBm
Počet kanálů na čip
2
Maximální provozní frekvence
10.5 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
QFN EP, VQFN EP
Pinanzahl
16
Abmessungen
3.1 x 3.1 x 1mm
Höhe
1mm
Länge
3.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
3.1mm
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Analog DevicesVerstärker-Typ
Nízký šum
Typický výkon
14dBm
Počet kanálů na čip
2
Maximální provozní frekvence
10.5 GHz
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
QFN EP, VQFN EP
Pinanzahl
16
Abmessungen
3.1 x 3.1 x 1mm
Höhe
1mm
Länge
3.1mm
Řada
Hittite
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Breite
3.1mm
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Podrobnosti o výrobku
VF zesilovače, Analog Devices Hittite
Řada analogových zařízení Hittite obsahuje řadu rádiových zesilovačů s celou řadou funkcí. Některé zesilovače s nízkým šumem jsou integrovány s rezonančními zesilovači, zařízeními s negativním odporem, diodami varaktorů a zesilovači pufrů a dalšími vysoce efektivními zesilovači řízení MMIC (GAAS InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).