Ráčna 1/2 palce Čtyřhran s ráčnou, celková délka: 410 mm Bahco
Technické dokumenty
Špecifikácie
Tvar vrtáku
Square
Typ držadla
Ratchet
Povrchová úprava
Nickel Chrome Plated
Materiál
Chrome Vanadium Steel
Velikost pohonu
1/2 in
Brand
BahcoCelková délka
410 mm
Krajina pôvodu
Argentina
Podrobnosti o výrobku
Automobilový MOSFET, Fairchild Semiconductor
Společnost Fairchild Semiconductor poskytuje řešení, která řeší složité problémy na automobilovém trhu, a to prostřednictvím důkladného řízení standardů kvality, bezpečnosti a spolehlivosti.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Tvar vrtáku
Square
Typ držadla
Ratchet
Povrchová úprava
Nickel Chrome Plated
Materiál
Chrome Vanadium Steel
Velikost pohonu
1/2 in
Brand
BahcoCelková délka
410 mm
Krajina pôvodu
Argentina
Podrobnosti o výrobku
Automobilový MOSFET, Fairchild Semiconductor
Společnost Fairchild Semiconductor poskytuje řešení, která řeší složité problémy na automobilovém trhu, a to prostřednictvím důkladného řízení standardů kvality, bezpečnosti a spolehlivosti.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.