Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Montage-Typ
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1,6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Höhe
2мм
Délka
4.3mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
+85°C
Hloubka
4.4mm
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 4,18
€ 2,09 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 4,18
€ 2,09 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,09 | € 4,18 |
| 10 - 38 | € 1,975 | € 3,95 |
| 40 - 98 | € 1,765 | € 3,53 |
| 100 - 198 | € 1,585 | € 3,17 |
| 200+ | € 1,475 | € 2,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Montage-Typ
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1,6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Höhe
2мм
Délka
4.3mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
+85°C
Hloubka
4.4mm
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
