Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Hloubka
4.4мм
Höhe
2мм
Länge
4.3mm
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,075
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 2,075
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,075 | € 4,15 |
10 - 38 | € 1,96 | € 3,92 |
40 - 98 | € 1,75 | € 3,50 |
100 - 198 | € 1,58 | € 3,16 |
200+ | € 1,465 | € 2,93 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Hloubka
4.4мм
Höhe
2мм
Länge
4.3mm
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.