Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Abmessungen
4.3 x 4.4 x 2мм
Výška
2мм
Délka
4.3мм
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Hloubka
4.4мм
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,07
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
2
€ 2,07
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,07 | € 4,14 |
10 - 38 | € 1,96 | € 3,92 |
40 - 98 | € 1,75 | € 3,50 |
100 - 198 | € 1,58 | € 3,16 |
200+ | € 1,46 | € 2,92 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.2 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.6 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.6 V
Minimální zatěžovací proud
0.2 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Abmessungen
4.3 x 4.4 x 2мм
Výška
2мм
Délka
4.3мм
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Hloubka
4.4мм
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.