Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Abmessungen
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Minimální provozní teplota
-40°C
Höhe
3.6мм
Betriebstemperatur max.
+85°C
Délka
9.7mm
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
€ 287,37
€ 5,747 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 287,37
€ 5,747 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 5,747 | € 287,37 |
| 100 - 200 | € 5,592 | € 279,60 |
| 250 - 450 | € 5,443 | € 272,15 |
| 500 - 950 | € 5,305 | € 265,25 |
| 1000+ | € 5,173 | € 258,63 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0.6 A
Montage-Typ
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Minimální zatěžovací proud
0.6 A
Výstupní zařízení
MOSFET
Abmessungen
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Minimální provozní teplota
-40°C
Höhe
3.6мм
Betriebstemperatur max.
+85°C
Délka
9.7mm
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Hloubka
6.4мм
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
