Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
1 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
+85°C
Hloubka
4.4mm
Höhe
2мм
Délka
4.3mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 63,20
€ 6,32 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 63,20
€ 6,32 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 6,32 |
| 50 - 99 | € 5,75 |
| 100 - 249 | € 5,09 |
| 250+ | € 4,77 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
1 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Minimální zatěžovací napětí
-60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1.1 → 1.7 V
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Rozměry
4.3 x 4.4 x 2mm
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
+85°C
Hloubka
4.4mm
Höhe
2мм
Délka
4.3mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
