Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
1A
Typ produktu
Solid State Relay
Typ montáže
Surface
Maximální zatěžovací napětí
60V
Minimální zatěžovací napětí
-60V
Minimální řídicí napětí
0V
Maximální řídicí napětí
0.8V
Řada
ASSR-15XX
Typ svorky
6-Pin
Konfigurace kontaktů
SPST
Minimální provozní teplota
-40°C
Pouzdro spínače
Spínání AC/DC
Maximální pracovní teplota
80°C
Výška
4.2mm
Länge
9.7mm
Normy/schválení
RoHS
Breite
6.4mm
Svodový proud ve vypnutém stavu
1μA
Kapacitance
0.5pF
Typ výstupu
MOSFET
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,89
€ 4,945 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 9,89
€ 4,945 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
1A
Typ produktu
Solid State Relay
Typ montáže
Surface
Maximální zatěžovací napětí
60V
Minimální zatěžovací napětí
-60V
Minimální řídicí napětí
0V
Maximální řídicí napětí
0.8V
Řada
ASSR-15XX
Typ svorky
6-Pin
Konfigurace kontaktů
SPST
Minimální provozní teplota
-40°C
Pouzdro spínače
Spínání AC/DC
Maximální pracovní teplota
80°C
Výška
4.2mm
Länge
9.7mm
Normy/schválení
RoHS
Breite
6.4mm
Svodový proud ve vypnutém stavu
1μA
Kapacitance
0.5pF
Typ výstupu
MOSFET
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
