Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
2.5 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1,1 → 1,7 V
Minimální zatěžovací proud
2.5 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Maximální doba zapnutí
3.2 ms
Rozměry
9.9 x 6.6 x 3.68mm
Výška
3.7mm
Länge
9.9mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Hloubka
6.6mm
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,18
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 6,18
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 49 | € 6,18 |
50 - 99 | € 5,42 |
100 - 249 | € 5,09 |
250+ | € 5,07 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
2.5 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
60 V
Maximální řídicí napětí
1.7 V
Rozsah řídicího napětí
1,1 → 1,7 V
Minimální zatěžovací proud
2.5 A
Konfigurace kontaktů
SPST
Výstupní zařízení
MOSFET
Maximální doba zapnutí
3.2 ms
Rozměry
9.9 x 6.6 x 3.68mm
Výška
3.7mm
Länge
9.9mm
Rozsah pracovních teplot
-40 → +85°C
Betriebstemperatur min.
-40°C
Maximální pracovní teplota
+85°C
Hloubka
6.6mm
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.