SRAM CY62146EV30LL-45ZSXI, 4Mbit 256k x 16 bitů 1MHz, počet kolíků: 44, TSOP
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
4Mbit
Organizace
256k x 16 bitů
Počet slov
256K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
16bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Höhe
1.04mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
10.26mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.2 V
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
18.51mm
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).
SRAM (Static Random Access Memory)
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
4Mbit
Organizace
256k x 16 bitů
Počet slov
256K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
16bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Höhe
1.04mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Breite
10.26mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.2 V
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
18.51mm
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).
SRAM (Static Random Access Memory)
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products