Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
8Mbit
Organizace
512k x 16 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
16bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.04mm
Betriebstemperatur max.
+85 °C
Länge
18.51mm
Breite
10.26mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).
SRAM (Static Random Access Memory)
P.O.A.
Výrobné balenie (Zásobník)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Zásobník)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
8Mbit
Organizace
512k x 16 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
16bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.04mm
Betriebstemperatur max.
+85 °C
Länge
18.51mm
Breite
10.26mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).


