Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
8Mbit
Organizace
1M x 8 bitů, 512k x 16 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
8 bit, 16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
8 bit, 16 bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
VFBGA
Pinanzahl
48
Abmessungen
6 x 8 x 0.79mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
0.79mm
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
6mm
Breite
8mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.2 V
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).
SRAM (Static Random Access Memory)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
8Mbit
Organizace
1M x 8 bitů, 512k x 16 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
8 bit, 16bit
Maximální čas náhodného přístupu
45ns
Šířka adresové sběrnice
8 bit, 16 bit
Frekvence hodin
1MHz
Nízký výkon
Yes
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
VFBGA
Pinanzahl
48
Abmessungen
6 x 8 x 0.79mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
0.79mm
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
6mm
Breite
8mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.2 V
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).