Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
16kbit
Organizace
2K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.5 x 4 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
4mm
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
16kbit
Organizace
2K x 8 bitů
Typ rozhraní
Sériové - I2C
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.5 x 4 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.65 V
Breite
4mm
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
2K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.