Paměť FRAM FM28V100-TG, Paralelní, 1Mbit 128K x 8 bitůů 60ns, počet kolíků: 32 -40 °C až +85 °C, TSOP
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
1Mbit
Organizace
128K x 8 bitů
Typ rozhraní
Parallel
Maximální čas náhodného přístupu
60ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
32
Abmessungen
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Maximální pracovní teplota
85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Počet slov
128K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
1Mbit
Organizace
128K x 8 bitů
Typ rozhraní
Parallel
Maximální čas náhodného přístupu
60ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
32
Abmessungen
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Maximální pracovní teplota
85 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Počet slov
128K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products