Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
115 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 3,04
€ 0,122 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 3,04
€ 0,122 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
115 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku


