MOSFET 2N7002DW-7-F N-kanálový 115 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 708-2529Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: 2N7002DW-7-F
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

2.2mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 3,04

€ 0,122 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET 2N7002DW-7-F N-kanálový 115 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 3,04

€ 0,122 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET 2N7002DW-7-F N-kanálový 115 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

2.2mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more