Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
700 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory, Diod Inc
Transistors, Diodes Inc

P.O.A.
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
P.O.A.
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
700 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory, Diod Inc
Transistors, Diodes Inc
