Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,03 | € 3,04 |
1000 - 2400 | € 0,029 | € 2,94 |
2500 - 4900 | € 0,028 | € 2,77 |
5000+ | € 0,026 | € 2,59 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku