MOSFET BSS84DW-7-F P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 708-2484Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: BSS84DW-7-F
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

130 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Úř. věst. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.2mm

Breite

1.35mm

Počet prvků na čip

2

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET BSS84DW-7-F P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET BSS84DW-7-F P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

130 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Úř. věst. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2.2mm

Breite

1.35mm

Počet prvků na čip

2

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more