Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexPrůměrný špičkový propustný proud
1A
Typ můstku
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
400V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DF-S
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
50A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Špičkové propustné napětí
1.1V
Špičkový závěrný proud
500µA
Abmessungen
8.51 x 6.5 x 2.6mm
Länge
8.51mm
Höhe
2.6mm
Breite
6.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory PnP, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,20
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 0,20
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
1500 - 3000 | € 0,20 | € 300,00 |
4500+ | € 0,19 | € 285,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexPrůměrný špičkový propustný proud
1A
Typ můstku
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
400V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DF-S
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
50A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Špičkové propustné napětí
1.1V
Špičkový závěrný proud
500µA
Abmessungen
8.51 x 6.5 x 2.6mm
Länge
8.51mm
Höhe
2.6mm
Breite
6.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory PnP, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.