řada: DMC3016LNSMOSFET DMC3016LNS-7 N/P-kanálový 6,8 A, 9 A 30 V, PDI3333, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PDI3333
Řada
DMC3016LNS
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 V, 2.4 V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2 V, 1.4 V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,7 nC při 15 V, 21 nC při 15 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PDI3333
Řada
DMC3016LNS
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 V, 2.4 V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2 V, 1.4 V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,7 nC při 15 V, 21 nC při 15 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products