MOSFET DMG1013T-7 P-kanálový 460 mA 20 V, SOT-523 (SC-89), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
460 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
270 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,58 nC při 4,5 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 22,62
€ 0,038 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
€ 22,62
€ 0,038 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 600 - 1400 | € 0,038 | € 3,77 |
| 1500+ | € 0,031 | € 3,11 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
460 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
270 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,58 nC při 4,5 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products