MOSFET DMG1016V-7 N/P-kanálový 640 mA, 870 mA 20 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
640 mA, 870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω, 700 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
530 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,62 nC při 4,5 V, 0,74 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
640 mA, 870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.3 Ω, 700 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
530 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,62 nC při 4,5 V, 0,74 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products