Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,2 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 160,08
€ 0,053 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 160,08
€ 0,053 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,053 | € 160,08 |
9000+ | € 0,051 | € 152,08 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,2 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku