Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
71 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,1 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
71 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,1 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


