MOSFET DMG3415U-7 P-kanálový 4 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 751-4095PZnačka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMG3415U-7
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

71 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

900 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,1 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3mm

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMG3415U-7 P-kanálový 4 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET DMG3415U-7 P-kanálový 4 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

71 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

900 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,1 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3mm

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, 12 V až 25 V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more