MOSFET DMG4800LSD-13 N-kanálový 7.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,56 nC při 5 V
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,60
€ 0,384 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 9,60
€ 0,384 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,56 nC při 5 V
Breite
3.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
4.95mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products