MOSFET DMHC3025LSD-13 N/P-kanálový-kanálový 2,5 A, 7,8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 čtyřnásobný Úplný můstek Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,5 A, 7,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ, 80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Full Bridge
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
4
Breite
3.95mm
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,4 nC při 10 V, 11,7 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 872,48
€ 0,349 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 872,48
€ 0,349 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,5 A, 7,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ, 80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Full Bridge
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
4
Breite
3.95mm
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,4 nC při 10 V, 11,7 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products