řada: DMJ70H900HJ3MOSFET DMJ70H900HJ3 N-kanálový 7 A 700 V, TO-251, počet kolíků: 3+Tab Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
700 V
Gehäusegröße
TO-251
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3+Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
68 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
2.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,4 nC při 10 V
Höhe
7.17mm
Řada
DMJ70H900HJ3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
700 V
Gehäusegröße
TO-251
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3+Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
68 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
2.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,4 nC při 10 V
Höhe
7.17mm
Řada
DMJ70H900HJ3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products